集成電路封測包含封裝和測試兩個環(huán)節(jié)。其中封裝是將通過測試的晶圓加工得到獨立芯片的過程，使電路芯片免受周圍環(huán)境的影響，起著保護芯片、增強導(dǎo)熱（散熱）性能、實現(xiàn)電氣和物理連接、功率分配、信號分配，以溝通芯片內(nèi)部與外部電路的作用，它是集成電路和系統(tǒng)級板如印制板（PCB）互連實現(xiàn)電子產(chǎn)品功能的橋梁，主要有電氣特性的保持、芯片保護、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能。

測試主要是對芯片產(chǎn)品的性能和功能進行測試，并挑選出功能、性能不符合要求的產(chǎn)品，主要有直流參數(shù)測試、交流參數(shù)測試 、功能項目測試、混合信號模塊測試、模擬模塊測試 、射頻模塊測試、

隨著下游終端電子產(chǎn)品需求的提升和下游廠商備貨庫存的提高，全球集成電路封裝測試市場規(guī)模增長顯著，由2016年的516億美元增長至2020年的591億美元。未來，隨著5G通信、AI、大數(shù)據(jù)、自動駕駛、元宇宙、VR/AR等技術(shù)不斷落地并逐漸成熟，全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將進一步提升，從而帶動集成電路封測行業(yè)的發(fā)展，預(yù)計2022年全球集成電路封裝測試市場規(guī)模將達733億美元。

近年來，中國封測企業(yè)通過海外并購快速積累先進封裝技術(shù)，先進封裝技術(shù)已與海外廠商同步，但先進封裝產(chǎn)品的營收在總營收的占比與中國臺灣及美國封測巨頭企業(yè)存在一定差距。國內(nèi)封測龍頭企業(yè)江蘇長電進入全球前三，市占率達14.0%。

制造方面，近年來受益于集成電路產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，集成電路進口替代也將加快步伐。根據(jù)國家統(tǒng)計局的數(shù)據(jù)， 2021 年我國集成電路總生產(chǎn)量從 2011 年的 761.80 億塊增長至的 3,594.30 億塊，年復(fù)合增長率為 16.78%；2022年1-2月我國集成電路產(chǎn)量達573.3億塊。而作為對照，2021年國內(nèi)集成電路進口金額從 2011 年的 1,701.99 億美元增長4,325.54 億美元，年復(fù)合增長率為 4.42%。可見近年來我國集成電路生產(chǎn)速度快于集成電路進口增長速度，表明我國集成電路行業(yè)國產(chǎn)替代速度加快，集成電路生產(chǎn)量不斷提高，已部分實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

在集成電路制程方面，“摩爾定律”認為集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。長期以來，“摩爾定律”一直引領(lǐng)著集成電路制程技術(shù)的發(fā)展與進步，自1987年的1um制程至2015年的14nm制程，集成電路制程迭代一直符合“摩爾定律”的規(guī)律。但2015年以后，集成電路制程的發(fā)展進入了瓶頸，7nm、5nm、3nm制程的量產(chǎn)進度均落后于預(yù)期。隨著臺積電宣布2nm制程工藝實現(xiàn)突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，集成電路行業(yè)進入了“后摩爾時代”。“后摩爾時代”制程技術(shù)突破難度較大，工藝制程受成本大幅增長和技術(shù)壁壘等因素上升改進速度放緩。由于集成電路制程工藝短期內(nèi)難以突破，通過先進封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢。

隨著5G通信技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、視覺識別、自動駕駛等應(yīng)用場景的快速興起，應(yīng)用市場對芯片功能多樣化的需求程度越來越高。在芯片制程技術(shù)進入“后摩爾時代”后，先進封裝技術(shù)能在不單純依靠芯片制程工藝實現(xiàn)突破的情況下，通過晶圓級封裝和系統(tǒng)級封裝，提高產(chǎn)品集成度和功能多樣化，滿足終端應(yīng)用對芯片輕薄、低功耗、高性能的需求，同時大幅降低芯片成本。因此，先進封裝在高端邏輯芯片、存儲器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用。

系統(tǒng)級封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運算器、傳感器、存儲器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)，日益成為先進封裝市場增長的重要動力。

傳統(tǒng)WB工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的I/O焊盤上直接沉積，或通過RDL布線后沉積凸點，然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。與WB相比，F(xiàn)C封裝技術(shù)的I/O數(shù)多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。與應(yīng)用FC技術(shù)的SiP芯片不同，F(xiàn)C芯片的沉積凸點更多，密度更大，大大減小了對面積的浪費。相比應(yīng)用FC技術(shù)的SiP芯片來說，F(xiàn)C芯片有著諸多的優(yōu)勢，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。